MCB3D0N10Y-TP
零件编号：
MCB3D0N10Y-TP
产品分类：
-
描述：
N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
封装：
包装：
Tape & Reel (TR)
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：800
数量
价格
总价
800+
$3.45
$2760
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 250µA
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
94 nC @ 10 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
190A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
3mOhm @ 50A, 10V
最大功耗
230W (Tj)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
7076 pF @ 50 V
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