MCT06P10HE3-TP
MCT06P10HE3-TP
MCT06P10HE3-TP
零件编号:
MCT06P10HE3-TP
产品分类:
-
描述:
P-CHANNEL MOSFET,SOT-223
封装:
包装:
Tape & Reel (TR)
数量:
0
RoHS 状态:
支持
分享:
库存
起订量:2500
数量
价格
总价
2500+
$0.36
$900
5000+
$0.33
$1650
7500+
$0.32
$2400
12500+
$0.3
$3750
17500+
$0.3
$5250
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
场效应晶体管类型
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
封装 / 外壳
TO-261-4, TO-261AA
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
供应商器件封装
SOT-223
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
6A (Ta)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
210mOhm @ 6A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
24.6 nC @ 10 V
最大功耗
1.9W (Tj)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1369 pF @ 50 V
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