MXP120A080FE-T1GE3
零件编号：
MXP120A080FE-T1GE3
产品分类：
-
制造商：
描述：
SIC MOSFET
封装：
包装：
Tape & Reel (TR)
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1600
数量
价格
总价
1600+
$5.61
$8976
零件状态
Active
供应商器件封装
-
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
-
封装 / 外壳
-
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
30A (Tc)
最大功耗
140W (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
100mOhm @ 20A, 20V
最大栅源电压
+20V, -5V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
18V, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.69V @ 5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
47.3 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1156 pF @ 800 V
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