18923764396
szlcwkj@163.com
中文
中文
English
Japanese
Russian
French
Arabic
Korean
Spanish
Kazakh
首页
产品中心
品牌
询价
资讯
关于我们
关于我们
联系我们
联系我们
企业文化
企业文化
首页
产品中心
品牌
询价
资讯
关于我们
联系我们
企业文化
中文
中文
English
Japanese
Russian
French
Arabic
Korean
Spanish
Kazakh
首页
产品列表
PSMN1R3-80SSFJ
零件编号:
PSMN1R3-80SSFJ
产品分类:
-
制造商:
Nexperia USA Inc.
描述:
NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
数量:
0
RoHS 状态:
支持
分享:
PDF:
PSMN1R3-80SSFJ
询价
库存
起订量:1
数量
价格
总价
1+
$7.23
$7.23
10+
$4.86
$48.6
100+
$3.55
$355
产品参数
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
漏极至源极电压 (Vdss)
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
246 nC @ 10 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
335A (Tc)
最大功耗
341W (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
1.2mOhm @ 25A, 10V
供应商器件封装
LFPAK88 (SOT1235)
封装 / 外壳
SOT-1235
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
16647 pF @ 40 V
最新产品
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
了解更多
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
了解更多
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
了解更多
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
了解更多
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
了解更多
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
了解更多
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
了解更多
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-
了解更多
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396