RQ3P270BLFRATCB
RQ3P270BLFRATCB
RQ3P270BLFRATCB RQ3P270BLFRATCB
零件编号:
RQ3P270BLFRATCB
产品分类:
-
制造商:
描述:
NCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
数量:
3000
RoHS 状态:
支持
分享:
PDF:
库存
起订量:1
数量
价格
总价
1+
$2.16
$2.16
10+
$1.37
$13.7
100+
$0.93
$93
500+
$0.74
$370
1000+
$0.69
$690
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
工作温度
150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
27A (Tc)
最大功耗
69W (Tc)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
6V, 10V
封装 / 外壳
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4V @ 2mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
13.6 nC @ 10 V
供应商器件封装
8-HSMT (3.2x3)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
760 pF @ 50 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
29mOhm @ 27A, 10V
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