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产品列表
TK115U65Z5,RQ
零件编号:
TK115U65Z5,RQ
产品分类:
-
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
N-CH MOSFET, 650 V, 0.115 @10V,
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
数量:
4000
RoHS 状态:
支持
分享:
PDF:
TK115U65Z5,RQ
询价
库存
起订量:1
数量
价格
总价
1+
$6.81
$6.81
10+
$4.57
$45.7
100+
$3.3
$330
500+
$3.28
$1640
产品参数
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
150°C
最大功耗
190W (Tc)
最大栅源电压
±30V
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
42 nC @ 10 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
24A (Ta)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
115mOhm @ 12A, 10V
封装 / 外壳
8-PowerSFN
供应商器件封装
TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4.5V @ 1.02mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2280 pF @ 300 V
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346959483
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