TP65H035G4WSQA
零件编号：
TP65H035G4WSQA
产品分类：
-
制造商：
描述：
650 V 46.5 GAN FET
封装：
包装：
Tube
数量：
43
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$22.13
$22.13
30+
$13.92
$417.6
120+
$13.32
$1598.4
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
22 nC @ 10 V
封装 / 外壳
TO-247-3
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
供应商器件封装
TO-247-3
最大功耗
187W (Tc)
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1500 pF @ 400 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.8V @ 1mA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
47.2A (Tc)
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