GH50H65DRB2-7AG
GH50H65DRB2-7AG
GH50H65DRB2-7AG GH50H65DRB2-7AG
Part Number:
GH50H65DRB2-7AG
Category:
-
Manufacturer:
Description:
IGBT
Encapsulation:
Package:
Bulk
Quantity:
1600
RoHS Status:
Supported
Share:
RFQ
Stock
MOQ: 1000
Qty
Price
Total
1000+
$1.63
$1630
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف
Automotive
التأهيل
AEC-Q101
الحزمة / العلبة
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
输入类型为阿拉伯文
Standard
تيار المجمع النبضي (Icm)
200 A
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى)
650 V
نوع IGBT
Trench Field Stop
Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 50A
شرط الاختبار
400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
الطاقة - الحد الأقصى
385 W
تيار المجمع (Ic) (الأقصى)
108 A
المورد الجهاز الحزمة
H2PAK-7
شحنة البوابة
152 nC
طاقة التبديل
557µJ (off)
Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية
-/117ns
وقت الاسترداد العكسي (trr)
912 ns
Latest Products
FGHL25T120RWD
onsemi
1200V, 25A TRENCH FIELD STOP VII
STGWA30IH160DF2
STMicroelectronics
TRENCH GATE FIELD-STOP 1600 V, 3
MIZ75N65AH2Y-BP
MCC (Micro Commercial Components)
IGBT DISCRETE,TO-247-4
GH50H65DRB2-7AG
STMicroelectronics
IGBT
GWA75H65DRFB2AG
STMicroelectronics
IGBT
RJH60D1DPP-A0#T2
Renesas Electronics Corporation
POWER TRANSISTOR IGBT 600V 10A
NGW75T65M3DFPQ
Nexperia USA Inc.
NGW75T65M3DFP/SOT429-2/TO247-3
NGW75T65H3DFPQ
Nexperia USA Inc.
NGW75T65H3DFP/SOT429-2/TO247-3