ASZM040120T
Número de pieza:
ASZM040120T
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
13
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$11.48
$11.48
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Disipación de Potencia (Máx.)
340W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
68A (Tc)
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Máx.)
+25V, -10V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-4
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V, 20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3.6V @ 9.5mA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
32mOhm @ 40A, 20V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
87 nC @ 18 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2820 pF @ 1000 V
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