TW027U65C,RQ
Número de pieza:
TW027U65C,RQ
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
1600
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$43.77
$43.77
10+
$36.2
$362
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Disipación de Potencia (Máx.)
156W (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
5V @ 3mA
Temperatura de Operación
175°C
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Máx.)
+25V, -10V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V
Paquete / Carcasa
8-PowerSFN
Proveedor Dispositivo Paquete
TOLL
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2288 pF @ 400 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
65 nC @ 18 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
40mOhm @ 29A, 18V
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