CC-CN-23-0123
CC-CN-23-0123
CC-CN-23-0123
Número de pieza:
CC-CN-23-0123
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
SiC MOSFET 20A 1200V TO-247-3
Encapsulado:
Embalaje:
Bulk
Cantidad:
15
Estado RoHS:
Compatible
Compartir:
Existencias
Cantidad mínima: 5
Cant.
Precio
Total
5+
$7.7
$38.5
10+
$6.6
$66
100+
$6.05
$605
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
FET Característica
-
Paquete / Carcasa
TO-247-3
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
16 nC @ 5 V
Temperatura de Operación
-40°C ~ 175°C (TJ)
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
85mOhm @ 10A, 15V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.4V @ 5mA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
810 pF @ 200 V
Últimos productos
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-