CGD65A130SH2
Número de pieza:
CGD65A130SH2
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
3413
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$8.31
$8.31
10+
$5.63
$56.3
100+
$4.27
$427
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
12V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
12A
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
182mOhm @ 900mA, 12V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.2V @ 4.2mA
Vgs (Máx.)
+20V, -1V
Proveedor Dispositivo Paquete
16-DFN (8x8)
Paquete / Carcasa
16-PowerVDFN
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
1.9 nC @ 12 V
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