CGD65B240SH2
Número de pieza:
CGD65B240SH2
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
650V GAN HEMT, 240MOHM, DFN5X6.
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
6255
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$5.93
$5.93
10+
$3.95
$39.5
100+
$2.83
$283
500+
$2.73
$1365
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
7A
Proveedor Dispositivo Paquete
8-DFN (5x6)
Paquete / Carcasa
8-PowerVDFN
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
12V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Máx.)
+20V, -1V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
336mOhm @ 500mA, 12V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.2V @ 2.3mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
1.2 nC @ 12 V
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