EPC2307ENGRT
Número de pieza:
EPC2307ENGRT
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
15360
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$8.21
$8.21
10+
$5.56
$55.6
100+
$4.21
$421
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
200 V
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
5V
Temperatura de Operación
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
48A (Ta)
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Máx.)
+6V, -4V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
10mOhm @ 16A, 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 4mA
Proveedor Dispositivo Paquete
7-QFN (3x5)
Paquete / Carcasa
7-PowerWQFN
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
10.6 nC @ 5 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1401 pF @ 100 V
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