EPC2367ENGRT
Número de pieza:
EPC2367ENGRT
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
TRANS GAN 100V .0012OHM 5QFN
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
3572
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$7.58
$7.58
10+
$5.11
$51.1
100+
$3.79
$379
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
100 V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
5V
Temperatura de Operación
-40°C ~ 150°C (TJ)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
17 nC @ 5 V
Tipo de Montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Máx.)
+6V, -4V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 10mA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
78A (Tj)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 30A, 5V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2170 pF @ 50 V
Proveedor Dispositivo Paquete
5-QFN (3.3x3.3)
Paquete / Carcasa
5-PowerWQFN
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