EPC7014UBC
Número de pieza:
EPC7014UBC
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Encapsulado:
Embalaje:
Bulk
Cantidad:
90
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$200.08
$200.08
10+
$184.4
$1844
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
60 V
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Proveedor Dispositivo Paquete
4-SMD
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
5V
Paquete / Carcasa
4-SMD, No Lead
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 140µA
Vgs (Máx.)
+7V, -4V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
22 pF @ 30 V
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