FDP8442-F085
Número de pieza:
FDP8442-F085
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Encapsulado:
Embalaje:
Bulk
Cantidad:
2350
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 180
Cant.
Precio
Total
180+
$1.84
$331.2
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Carcasa
TO-220-3
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-220-3
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
40 V
Disipación de Potencia (Máx.)
254W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
23A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 80A, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
12200 pF @ 25 V
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