Estado de la Pieza
Active
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
81A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)
333W (Tc)
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V
Paquete / Carcasa
8-PowerSFN
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
750 V
Proveedor Dispositivo Paquete
TOLL
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 60mA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
34mOhm @ 30A, 18V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
174 nC @ 15 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4604 pF @ 500 V