G3F65MT12J-TR
Número de pieza:
G3F65MT12J-TR
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
699
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$10.46
$10.46
10+
$8.58
$85.8
100+
$7.41
$741
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Paquete / Carcasa
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
37A (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-263-7
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Disipación de Potencia (Máx.)
171W (Tc)
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V
Vgs (Máx.)
+22V, -10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.3V @ 10mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
55 nC @ 18 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
86mOhm @ 15A, 18V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1298 pF @ 800 V
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