GCMS008C120S1-E1
Número de pieza:
GCMS008C120S1-E1
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
GEN3 1200V 8M SIC MOSFET & SBD
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
1629
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$46.3
$46.3
10+
$34.65
$346.5
100+
$31.71
$3171
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Chassis Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
SOT-227-4, miniBLOC
Proveedor Dispositivo Paquete
SOT-227
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V
Vgs (Máx.)
+22V, -8V
Disipación de Potencia (Máx.)
536W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
12mOhm @ 100A, 18V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
189A (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 40mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
506 nC @ 18 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
14085 pF @ 1000 V
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