GCMS010B120S1-E1
Número de pieza:
GCMS010B120S1-E1
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
1700V, 15M SIC MOSFET MODULE, SO
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
1606
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$60.39
$60.39
10+
$45.92
$459.2
100+
$44
$4400
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Chassis Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
SOT-227-4, miniBLOC
Proveedor Dispositivo Paquete
SOT-227
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
20V
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
204A (Tc)
Vgs (Máx.)
+25V, -10V
Disipación de Potencia (Máx.)
652W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
14mOhm @ 100A, 20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 40mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
416 nC @ 20 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
10878 pF @ 1000 V
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