GP3T080A120H
Número de pieza:
GP3T080A120H
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
10
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$6.3
$6.3
10+
$4.22
$42.2
100+
$3.03
$303
500+
$2.52
$1260
1000+
$2.42
$2420
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Disipación de Potencia (Máx.)
147W (Tc)
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 5mA
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-4
Vgs (Máx.)
+22V, -8V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 18V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
53 nC @ 18 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1351 pF @ 1000 V
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