GPI65005DF68
Número de pieza:
GPI65005DF68
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
GaNFET N-CH 650V 5A DFN6x8
Encapsulado:
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Cantidad:
423
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$2.75
$2.75
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
5A
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
6V
Vgs (Máx.)
+7.5V, -12V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
1.7V @ 3.5mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
1.6 nC @ 6 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
39 pF @ 500 V
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