IMZA120R017M2HXKSA1
Número de pieza:
IMZA120R017M2HXKSA1
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
IMZA120R017M2HXKSA1
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
1600
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$20.48
$20.48
30+
$12.83
$384.9
120+
$11.8
$1416
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
97A (Tc)
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
15V, 18V
Vgs (Máx.)
+23V, -7V
Proveedor Dispositivo Paquete
PG-TO247-4-8
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
5.1V @ 12.7mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
89 nC @ 18 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2910 pF @ 800 V
Disipación de Potencia (Máx.)
382W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
23mOhm @ 40A, 18V
Últimos productos
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Escanee el código QR