IMZA120R022M2HXKSA1
Número de pieza:
IMZA120R022M2HXKSA1
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
IMZA120R022M2HXKSA1
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
0
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$17.62
$17.62
30+
$10.89
$326.7
120+
$9.72
$1166.4
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Disipación de Potencia (Máx.)
329W (Tc)
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Máx.)
+25V, -10V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
15V, 18V
Proveedor Dispositivo Paquete
PG-TO247-4-8
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
5.1V @ 10.1mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
71 nC @ 18 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2330 pF @ 800 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
29mOhm @ 32A, 18V
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