IPB175N20NM6ATMA1
Número de pieza:
IPB175N20NM6ATMA1
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
IPB175N20NM6ATMA1
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
0
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$4.11
$4.11
10+
$2.69
$26.9
100+
$1.88
$188
500+
$1.66
$830
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
200 V
Paquete / Carcasa
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V, 15V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.5V @ 105µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3100 pF @ 100 V
Proveedor Dispositivo Paquete
PG-TO263-3-U01
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
9.7A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 38A, 15V
Disipación de Potencia (Máx.)
3.8W (Ta), 203W (Tc)
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