IPM018N10NM5LF2AUMA1
Número de pieza:
IPM018N10NM5LF2AUMA1
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
IPM018N10NM5LF2AUMA1
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
2990
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$8.99
$8.99
10+
$6.11
$61.1
100+
$4.74
$474
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
100 V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V, 15V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Proveedor Dispositivo Paquete
PG-HSOG-4-1
Paquete / Carcasa
4-PowerSFN
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
30A (Ta), 285A (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3.45V @ 240µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
14000 pF @ 50 V
Disipación de Potencia (Máx.)
3.8W (Ta), 349W (Tc)
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