ISCH99N04NM7VATMA1
Número de pieza:
ISCH99N04NM7VATMA1
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
ISCH99N04NM7VATMA1
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
0
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$2.74
$2.74
10+
$1.76
$17.6
100+
$1.2
$120
500+
$0.97
$485
1000+
$0.95
$950
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
40 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V, 15V
Paquete / Carcasa
8-PowerTDFN
Disipación de Potencia (Máx.)
3W (Ta), 150W (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
PG-TDSON-8
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4400 pF @ 20 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
40A (Ta), 284A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 50A, 15V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3.15V @ 66µA
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