IV2Q06025D7Z
Número de pieza:
IV2Q06025D7Z
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
GEN 2, SIC MOSFET, 650V 25MOHM,
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
1600
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 800
Cant.
Precio
Total
800+
$6.59
$5272.01
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-263-7
Disipación de Potencia (Máx.)
600W (Tc)
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V
Vgs (Máx.)
+20V, -5V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
111A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
33mOhm @ 40A, 18V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.5V @ 12mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
125 nC @ 18 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3090 pF @ 600 V
Paquete / Carcasa
TO-263-7
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