IV2Q12160T4Z
Número de pieza:
IV2Q12160T4Z
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
GEN2, SIC MOSFET, 1200V 160MOHM,
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
1660
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$8.11
$8.11
10+
$5.49
$54.9
100+
$4.01
$401
500+
$3.38
$1690
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)
136W (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-4
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
208mOhm @ 5A, 18V
Vgs (Máx.)
+20V, -5V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.5V @ 2mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
29 nC @ 18 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
580 pF @ 800 V
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