MCT06P10HE3-TP
Número de pieza:
MCT06P10HE3-TP
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
P-CHANNEL MOSFET,SOT-223
Encapsulado:
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Cantidad:
0
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 2500
Cant.
Precio
Total
2500+
$0.36
$900
5000+
$0.33
$1650
7500+
$0.32
$2400
12500+
$0.3
$3750
17500+
$0.3
$5250
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
100 V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de FET
P-Channel
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 250µA
Paquete / Carcasa
TO-261-4, TO-261AA
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Proveedor Dispositivo Paquete
SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
210mOhm @ 6A, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
24.6 nC @ 10 V
Disipación de Potencia (Máx.)
1.9W (Tj)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1369 pF @ 50 V
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