MDD4N65D
Número de pieza:
MDD4N65D
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
MOSFET N 650V 4A TO-252
Encapsulado:
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Cantidad:
33669
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 2500
Cant.
Precio
Total
2500+
$0.95
$2375
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 250µA
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
150°C (TJ)
Paquete / Carcasa
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
600 pF @ 25 V
Vgs (Máx.)
±30V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-252
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 2A, 10V
Disipación de Potencia (Máx.)
77W (Ta)
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