NC1M120C35HTNG
Número de pieza:
NC1M120C35HTNG
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
SIC MOSFET 1200V 35M 75A TO247-
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
1700
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 50
Cant.
Precio
Total
50+
$27.76
$1388
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-4L
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1.2 kV
Vgs (Máx.)
+18V, -5V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
50mOhm @ 33.3A, 18V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.5V @ 15mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
190 nC @ 18 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2834 pF @ 1 kV
Disipación de Potencia (Máx.)
386W (Ta)
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