NC2M120C20HTNG
Número de pieza:
NC2M120C20HTNG
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
SIC MOSFET 1200V 20M 126A TO247
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
100
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 50
Cant.
Precio
Total
50+
$42.89
$2144.5
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-4L
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1.2 kV
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
126A (Tc)
Vgs (Máx.)
+20V, -5V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
30mOhm @ 63A, 20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.5V @ 20mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
282 nC @ 20 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4615 pF @ 1 kV
Disipación de Potencia (Máx.)
625W (Ta)
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