Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operación
150°C (TJ)
Disipación de Potencia (Máx.)
700mW (Ta)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 1mA
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
40 V
Proveedor Dispositivo Paquete
TSMT3
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
46mOhm @ 4A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
820 pF @ 20 V