S3M0016120D
Número de pieza:
S3M0016120D
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
MOSFETS SILICON CARBIDES 1200V 1
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
1600
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$19.13
$19.13
10+
$13.59
$135.9
300+
$10.39
$3117
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
TO-247-3
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247AD
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 30mA
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
23mOhm @ 75A, 18V
Vgs (Máx.)
+18V, -4V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
287 nC @ 18 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
5251 pF @ 1000 V
Disipación de Potencia (Máx.)
732W (Tc)
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