S3M0025120B
Número de pieza:
S3M0025120B
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
MOSFETS SILICON CARBIDES 1200V 2
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
0
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$13.83
$13.83
10+
$9.64
$96.4
100+
$7.27
$727
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
73A (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-263-7
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 20mA
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V
Disipación de Potencia (Máx.)
394W (Tc)
Vgs (Máx.)
+18V, -4V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
32mOhm @ 48A, 18V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
175 nC @ 18 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3519 pF @ 1000 V
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