SI3415U-TP
SI3415U-TP
SI3415U-TP SI3415U-TP
Número de pieza:
SI3415U-TP
Categoría:
-
Descripción:
P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Encapsulado:
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Cantidad:
0
Estado RoHS:
Compatible
Compartir:
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 3000
Cant.
Precio
Total
3000+
$0.09
$270
6000+
$0.08
$480
9000+
$0.08
$720
15000+
$0.08
$1200
21000+
$0.07
$1470
30000+
$0.07
$2100
75000+
$0.06
$4500
150000+
$0.06
$9000.01
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Carcasa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de FET
P-Channel
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
1V @ 250µA
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Vgs (Máx.)
±8V
Proveedor Dispositivo Paquete
SOT-23
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
1.8V, 4.5V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
12.5 nC @ 4.5 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4A, 4.5V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1204 pF @ 10 V
Disipación de Potencia (Máx.)
930mW (Tj)
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