SICBG040N120H-TP
Número de pieza:
SICBG040N120H-TP
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
SIC N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
Encapsulado:
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Cantidad:
0
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 800
Cant.
Precio
Total
800+
$10.59
$8472.01
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)
250W (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
20V
Vgs (Máx.)
+25V, -10V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-263-7LA
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 40mA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
52mOhm @ 30A, 20V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
229 nC @ 20 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3619 pF @ 800 V
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