SIEH4800EW-T1-GE3
Número de pieza:
SIEH4800EW-T1-GE3
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175 C MOSFE
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
3000
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$6.8
$6.8
10+
$4.56
$45.6
100+
$3.67
$367
500+
$3.32
$1660
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
80 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
7.5V, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
278 nC @ 10 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
1.15mOhm @ 20A, 10V
Paquete / Carcasa
8-PowerDFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
34A (Ta), 381A (Tc)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
29000 pF @ 40 V
Disipación de Potencia (Máx.)
3.4W (Ta), 417W (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
PowerPAK® 8 x 8 BWL
Últimos productos
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Escanee el código QR