SIJ5623DP-T1-GE3
Número de pieza:
SIJ5623DP-T1-GE3
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET 150C
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
6000
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$2.61
$2.61
10+
$1.68
$16.8
100+
$1.14
$114
500+
$0.92
$460
1000+
$0.9
$900
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de FET
P-Channel
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
60 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.6V @ 250µA
Proveedor Dispositivo Paquete
PowerPAK® SO-8
Paquete / Carcasa
PowerPAK® SO-8
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
24mOhm @ 10A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1575 pF @ 30 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
9.3A (Ta), 26.1A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)
4.1W (Ta), 32.9W (Tc)
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