SIJK140E-T1-GE3
Número de pieza:
SIJK140E-T1-GE3
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
2228
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$8.31
$8.31
10+
$5.63
$56.3
100+
$4.5
$450
500+
$4.28
$2140
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3.5V @ 250µA
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
40 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
470 nC @ 10 V
Paquete / Carcasa
8-PowerSFN
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
0.47mOhm @ 20A, 10V
Proveedor Dispositivo Paquete
PowerPAK®10 x 12
Disipación de Potencia (Máx.)
17W (Ta), 536W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
140A (Ta), 795A (Tc)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
18510 pF @ 20 V
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