SIR576DP-T1-BE3
Número de pieza:
SIR576DP-T1-BE3
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
6000
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$2.28
$2.28
10+
$1.45
$14.5
100+
$0.98
$98
500+
$0.82
$410
1000+
$0.74
$740
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
150 V
Proveedor Dispositivo Paquete
PowerPAK® SO-8
Paquete / Carcasa
PowerPAK® SO-8
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
7.5V, 10V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
16mOhm @ 10A, 10V
Disipación de Potencia (Máx.)
5W (Ta), 71.4W (Tc)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1870 pF @ 75 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
11.1A (Ta), 42.2A (Tc)
Últimos productos
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Escanee el código QR