SIR5810DP-T1-RE3
Número de pieza:
SIR5810DP-T1-RE3
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
5970
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$1.64
$1.64
10+
$1.04
$10.4
100+
$0.69
$69
500+
$0.54
$270
1000+
$0.49
$490
2000+
$0.47
$940
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
80 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Proveedor Dispositivo Paquete
PowerPAK® SO-8
Paquete / Carcasa
PowerPAK® SO-8
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
10mOhm @ 10A, 10V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
7.5V, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
900 pF @ 40 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
15.5A (Ta), 53.3A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)
3W (Ta), 56.8W (Tc)
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