SIRA06DDP-T1-UE3
Número de pieza:
SIRA06DDP-T1-UE3
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
5838
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$1.27
$1.27
10+
$0.8
$8
100+
$0.52
$52
500+
$0.41
$205
1000+
$0.37
$370
2000+
$0.34
$680
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
30 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.2V @ 250µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2330 pF @ 15 V
Proveedor Dispositivo Paquete
PowerPAK® SO-8
Paquete / Carcasa
PowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)
+20V, -16V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 15A, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
36A (Ta), 125A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)
4.6W (Ta), 59W (Tc)
Últimos productos
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Escanee el código QR