SIRA62DDP-T1-UE3
Número de pieza:
SIRA62DDP-T1-UE3
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET 150C
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
6000
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$2.06
$2.06
10+
$1.31
$13.1
100+
$0.88
$88
500+
$0.72
$360
1000+
$0.65
$650
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
30 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.2V @ 250µA
Proveedor Dispositivo Paquete
PowerPAK® SO-8
Paquete / Carcasa
PowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)
+20V, -16V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
51A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
1.22Ohm @ 15A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4344 pF @ 15 V
Disipación de Potencia (Máx.)
5W (Ta), 71W (Tc)
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