SISS26LDN-T1-UE3
Número de pieza:
SISS26LDN-T1-UE3
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
N-CHANNEL 60 V (D-S) 150C MOSFET
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
6000
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$1.85
$1.85
10+
$1.17
$11.7
100+
$0.78
$78
500+
$0.62
$310
1000+
$0.56
$560
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
60 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 250µA
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 15A, 10V
Disipación de Potencia (Máx.)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
PowerPAK® 1212-8S
Paquete / Carcasa
PowerPAK® 1212-8S
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
23.7A (Ta), 81.2A (Tc)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1980 pF @ 30 V
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