SISS5708DN-T1-BE3
Número de pieza:
SISS5708DN-T1-BE3
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
5975
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$2.72
$2.72
10+
$1.74
$17.4
100+
$1.18
$118
500+
$0.96
$480
1000+
$0.94
$940
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
150 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
23mOhm @ 10A, 10V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
7.5V, 10V
Proveedor Dispositivo Paquete
PowerPAK® 1212-8S
Paquete / Carcasa
PowerPAK® 1212-8S
Disipación de Potencia (Máx.)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
975 pF @ 75 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
9.3A (Ta), 33.8A (Tc)
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