SQJ118EP-T1_GE3
SQJ118EP-T1_GE3
SQJ118EP-T1_GE3
Número de pieza:
SQJ118EP-T1_GE3
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100V (D-S)
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
3000
Estado RoHS:
Compatible
Compartir:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$1.56
$1.56
10+
$0.98
$9.8
100+
$0.65
$65
500+
$0.51
$255
1000+
$0.46
$460
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
100 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)
500W (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3.5V @ 250µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2930 pF @ 25 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Proveedor Dispositivo Paquete
PowerPAK® SO-8
Paquete / Carcasa
PowerPAK® SO-8
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
19.7mOhm @ 15A, 10V
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