TK115N65Z5,S1F
Número de pieza:
TK115N65Z5,S1F
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
N-CH MOSFET, 650 V, 0.115 @10V,
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
1660
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$7.48
$7.48
30+
$4.29
$128.7
120+
$3.59
$430.8
510+
$3.16
$1611.6
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
150°C
Disipación de Potencia (Máx.)
190W (Tc)
Paquete / Carcasa
TO-247-3
Vgs (Máx.)
±30V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
24A (Ta)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
115mOhm @ 12A, 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.5V @ 1.02mA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2280 pF @ 300 V
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